Garuda Documents : FG-FET Berbasis Film Ag2O Untuk Pendeteksian H2S

TitleFG-FET Berbasis Film Ag2O Untuk Pendeteksian H2S
Author Order2 of 3
Accreditation
AbstractFilm Ag2O telah ditumbuhkan pada top electrode Si/Ti/Pt dengan evaporasi termal. Proses evaporasi dilakukan pada tekanan 2×10-2 mbar dalam atmosfir oksigen sintetis. SEM digunakan untuk menganalisa struktur permukaan film. Top electrode dilekatkan pada chip FG-FET untuk membentuk sebuah sensor gas yang sensitif terhadap H2S. Karakterisasi yang meliputi uji temperatur, konsentrasi, kelembaban dan selektivitas dilakukan untuk mengetahui kehandalan sensor. Hasil karakterisasi menunjukkan bahwa FG-FET berbasis film Ag2O dapat mendeteksi H2S pada konsentrasi rendah dengan temperatur operasi optimum 95°C dalam keadaan kering maupun lembab. Penambahan klaster Fe pada permukaan film Ag2O dapat meningkatkan unjuk kerja sensor yang ditandai dengan peningkatan sinyal keluaran sensor. Keywords:FG-FET, Film Ag2O, Fe,Fungsi Kerja, H2S
Publisher NamePusat Teknologi Instrumentasi dan Otomasi (PTIO) Institut Teknologi Bandung
Publish Date2012-04-11
Publish Year2011
DoiDOI: 10.5614/joki.2011.3.2.3
Citation
SourceJurnal Otomasi, Kontrol, dan Instrumentasi
Source IssueVol 3 No 2 (2011): Jurnal Otomasi, Kontrol, dan Instrumentasi
Source Page87
Urlhttp://journals.itb.ac.id/index.php/joki/article/view/3941/2009
AuthorDr BILALODIN, S.Si, M.Si
File2034835.pdf